Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillar arrays for next generation of ultraviolet lightemitting diodes fabrication - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillar arrays for next generation of ultraviolet lightemitting diodes fabrication

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04511479

Soumis le : mardi 19 mars 2024-15:58:58

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:49:24

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04511479 , version 1 (19-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04511479 , version 1

Citer

L. Jaloustre, S. R. Sales De Mello, S. Labau, C. Petit-Etienne, E. Pargon. Plasma etching of high aspect ratio GaN and AlN nanopillar arrays for next generation of ultraviolet lightemitting diodes fabrication. 13th Plasma Etch and Strip in Microtechnologies workshop (PESM), Jun 2023, Grenoble, France. ⟨hal-04511479⟩

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