Study of the impact of the aspect ratio of etched silicon wafers on the ion angular distribution and ion energy distribution in pulsed plasma etching - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Study of the impact of the aspect ratio of etched silicon wafers on the ion angular distribution and ion energy distribution in pulsed plasma etching

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04511461

Soumis le : mardi 19 mars 2024-15:51:39

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:28:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04511461 , version 1 (19-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04511461 , version 1

Citer

Rochdi N., Cunge G., Kogelschatz M., Petit-Etienne C.. Study of the impact of the aspect ratio of etched silicon wafers on the ion angular distribution and ion energy distribution in pulsed plasma etching. 13th Plasma Etch and Strip in Microtechnologies workshop (PESM), Jun 2023, Grenoble, France. ⟨hal-04511461⟩

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