Helium and hydrogen plasmas interaction with Si3N4 and SiO2 materials for advanced etch applications : A molecular dynamics study - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Helium and hydrogen plasmas interaction with Si3N4 and SiO2 materials for advanced etch applications : A molecular dynamics study

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04511394

Soumis le : mardi 19 mars 2024-15:30:02

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:36:35

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04511394 , version 1 (19-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04511394 , version 1

Citer

E. Despiau-Pujo, V. Martirosyan, F. Pinzana, C. Petit-Etienne, F. Leverd, et al.. Helium and hydrogen plasmas interaction with Si3N4 and SiO2 materials for advanced etch applications : A molecular dynamics study. 13th Plasma Etch and Strip in Microtechnologies workshop (PESM), Jun 2023, Grenoble, France. ⟨hal-04511394⟩

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