Helium and hydrogen plasmas interaction with Si3N4 and SiO2 materials for advanced etch applications: A molecular dynamics study - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Helium and hydrogen plasmas interaction with Si3N4 and SiO2 materials for advanced etch applications: A molecular dynamics study

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04509414

Soumis le : lundi 18 mars 2024-14:09:50

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:57:56

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Dates et versions

hal-04509414 , version 1 (18-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04509414 , version 1

Citer

E Despiau-Pujo, V Martirosyan, C Petit-Etienne, F Pinzan, F Leverd, et al.. Helium and hydrogen plasmas interaction with Si3N4 and SiO2 materials for advanced etch applications: A molecular dynamics study. Plasma Etch Strip in Microtechnology (PESM), Jun 2023, GRENOBLE, France. ⟨hal-04509414⟩

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