Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02916150
Soumis le : lundi 17 août 2020-13:53:15
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02916150 , version 1
Citer
Fesiienko Oleh, Erwine Pargon, Hassan Maher, Camille Petit-Etienne, Ali Soltani, et al.. Impact of plasma etching process exposure on the integrity of AlN and AlGaN layers integrated in GaN heterojunction transistors (HEMTs). Journées nationales sur les technologies émergentes en micro-nano fabrication, (JNTE2019), Nov 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02916150⟩
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