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Impact of roughness of TiN bottom electrode on the forming voltage of HfO2 based resistive memories

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02613349
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 20 mai 2020 - 09:14:14
Dernière modification le : jeudi 30 juillet 2020 - 03:00:55

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C. Charpin-Nicolle, M. Bonvalot, R. Sommer, A. Persico, M.L. Cordeau, et al.. Impact of roughness of TiN bottom electrode on the forming voltage of HfO2 based resistive memories. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2020, 221, pp.111194. ⟨10.1016/j.mee.2019.111194⟩. ⟨hal-02613349⟩

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