Effect of wet treatments on the electrical properties of Al2O3/GeSn MOS capacitors
B. Salem
(1)
,
M. A. Mahjoub
(1)
,
T. Haffner
(1)
,
Y. Guerfi
(1)
,
S. Labau
(1)
,
E. Eustache
(1)
,
J. Aubin
(2)
,
J. M. Hartmann
(2)
,
T. Baron
(1)
,
G. Ghibaudo
(3)
,
B. Pelissier
(1)
,
F. Bassani
(1)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
B. Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
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- IdRef : 092216625
T. Baron
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : thierry-baron
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G. Ghibaudo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
- ORCID : 0000-0001-9901-0679
- IdRef : 069253099
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani