Effect of wet treatments on the electrical properties of Al2O3/GeSn MOS capacitors - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Effect of wet treatments on the electrical properties of Al2O3/GeSn MOS capacitors

B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
M. A. Mahjoub
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Haffner
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
Y. Guerfi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
S. Labau
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
E. Eustache
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
J. Aubin
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
B. Pelissier
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
F. Bassani
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02332929

Soumis le : vendredi 25 octobre 2019-10:24:28

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:53:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02332929 , version 1 (25-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02332929 , version 1

Citer

B. Salem, M. A. Mahjoub, T. Haffner, Y. Guerfi, S. Labau, et al.. Effect of wet treatments on the electrical properties of Al2O3/GeSn MOS capacitors. EMRS Fall Meeting, 2019, EMRS Fall Meeting 2019 (Varsovie, Pologne), Poland. ⟨hal-02332929⟩

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