Al2O3, Al doped ZnO and SnO2 encapsulation of randomly oriented ZnO nanowire networks for high performance and stable electrical devices - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2019

Al2O3, Al doped ZnO and SnO2 encapsulation of randomly oriented ZnO nanowire networks for high performance and stable electrical devices

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02183996

Soumis le : lundi 15 juillet 2019-17:09:57

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:39:37

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Dates et versions

hal-02183996 , version 1 (15-07-2019)

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Citer

F. Morisot, V. Nguyen, C. Montémont, T Maindron, David Munoz-Rojas, et al.. Al2O3, Al doped ZnO and SnO2 encapsulation of randomly oriented ZnO nanowire networks for high performance and stable electrical devices. Nanotechnology, 2019, 30 (38), pp.385202. ⟨10.1088/1361-6528/ab2aa5⟩. ⟨hal-02183996⟩

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