Low-temperature electrical characterization of junctionless transistors - Université Grenoble Alpes
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

Low-temperature electrical characterization of junctionless transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016366 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016366 , version 1

Citer

Dae-Young Jeon, So Jeong Jeon, Mireille Mouis, Sylvain Barraud, Gyu-Tae Kim, et al.. Low-temperature electrical characterization of junctionless transistors. Solid-State Electronics, 2013, 80, pp.135-141. ⟨hal-02016366⟩
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