Direct Bonding Mechanism of ALD-Al2O3 Thin Films

E. Beche; F. Fournel; V. Larrey; F. Rieutord; C. Morales; A.-M. Charvet; F. Madeira; G. Audoit; J.-M. Fabbri

doi:10.1149/06405.0057ecst

Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Direct Bonding Mechanism of ALD-Al2O3 Thin Films

(1) , (1) , (1) , (2) , (1) , (1) , (1) , (1) , (1)

1
2

E. Beche

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Fournel

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

V. Larrey

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Rieutord

Fonction : Auteur
PersonId : 170248
IdHAL : francois-rieutord
ORCID : 0000-0003-4697-3652
IdRef : 033177848

Nanostructures et Rayonnement Synchrotron

C. Morales

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

A.-M. Charvet

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Madeira

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

G. Audoit

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

J.-M. Fabbri

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Mécanique des matériaux [physics.class-ph] Physique Générale [physics.gen-ph]

FRANCOIS RIEUTORD : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02015924

Soumis le : mardi 12 février 2019-14:50:16

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Dates et versions

hal-02015924 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02015924 , version 1
DOI : 10.1149/06405.0057ecst

Citer

E. Beche, F. Fournel, V. Larrey, F. Rieutord, C. Morales, et al.. Direct Bonding Mechanism of ALD-Al2O3 Thin Films. 13th International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding - Science, Technology and Applications as part of the 226th Meeting of the Electrochem Soc, ECS, Oct 2014, Cancun, Mexico. pp.57-65, ⟨10.1149/06405.0057ecst⟩. ⟨hal-02015924⟩

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