Scaling of Trigate nanowire (NW) MOSFETs to sub-7nm width: 300K transition to Single Electron Transistor
V. Deshpande
(1)
,
S. Barraud
(1)
,
X. Jehl
(2)
,
R. Wacquez
(3)
,
M. Vinet
(1)
,
R. Coquand
(4)
,
B. Roche
(2)
,
B. Voisin
(2)
,
F. Triozon
(1)
,
C. Vizioz
(1)
,
L. Tosti
(1)
,
B. Previtali
(1)
,
P. Perreau
(4)
,
T. Poiroux
(1)
,
M. Sanquer
(2)
,
O. Faynot
(1)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 LaTEQS - Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
3 DSUD - CEA Tech en région Sud
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 LaTEQS - Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
3 DSUD - CEA Tech en région Sud
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
V. Deshpande
- Fonction : Auteur
- PersonId : 764991
- ORCID : 0000-0003-3899-3573
X. Jehl
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172133
- IdHAL : xavier-jehl
- ORCID : 0000-0002-5342-9818
- IdRef : 176333630
M. Vinet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 756257
- ORCID : 0000-0001-6757-295X
M. Sanquer
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172157
- IdHAL : marc-sanquer
- ORCID : 0000-0001-6055-4046
- IdRef : 030485754