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High density and taper-free boron doped Si 1− x Ge x nanowire via two-step growth process

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Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02000814
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 30 janvier 2019 - 18:17:01
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:10

Identifiants

  • HAL Id : hal-02000814, version 1

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Citation

Priyanka Periwal, Bassem Salem, Franck Bassani, Thierry Baron, Jean-Paul Barnes. High density and taper-free boron doped Si 1− x Ge x nanowire via two-step growth process. Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2014, 32 (4), pp.041401. ⟨hal-02000814⟩

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