High density and taper-free boron doped Si 1− x Ge x nanowire via two-step growth process - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2014

High density and taper-free boron doped Si 1− x Ge x nanowire via two-step growth process

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mercredi 30 janvier 2019-18:17:01

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Dates et versions

hal-02000814 , version 1 (30-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02000814 , version 1

Citer

Priyanka Periwal, Bassem Salem, Franck Bassani, Thierry Baron, Jean-Paul Barnes. High density and taper-free boron doped Si 1− x Ge x nanowire via two-step growth process. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2014, 32 (4), pp.041401. ⟨hal-02000814⟩

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