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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

PAR-XPS investigations of ultrathin SiO2 layers grown by PEALD on SiGe and Ge

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Physique [physics]

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Soumis le : mercredi 19 décembre 2018-15:31:02

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:17

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Dates et versions

hal-01960779 , version 1 (19-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01960779 , version 1

Citer

M. A. Mahjoub, B. Pelissier, S. Labau, F. Bassani, T. Baron. PAR-XPS investigations of ultrathin SiO2 layers grown by PEALD on SiGe and Ge. ECASIA 2017, Sep 2017, Montpellier, France. ⟨hal-01960779⟩

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