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Hydrogen passivation of silicon/silicon oxide interface by atomic layer deposited hafnium oxide and impact of silicon oxide underlayer

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01948091
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : vendredi 7 décembre 2018 - 13:49:55
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01948091, version 1

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Citation

Evan Oudot, Mickael Gros-Jean, Kristell Courouble, François Bertin, Romain Duru, et al.. Hydrogen passivation of silicon/silicon oxide interface by atomic layer deposited hafnium oxide and impact of silicon oxide underlayer. Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2018, 36 (1), pp.01A116. ⟨hal-01948091⟩

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