R. R. Bradley, J. A. Beswick, T. B. Joyce, P. D. Hodson, P. Kightley et al.,

D. J. Taylor, R. J. Stirland, and . Griffiths, Vacuum, vol.40, p.339, 1990.

S. C. Jain, M. Willander, and H. Maes, Semicond. Sci. Technol, vol.11, p.641, 1996.

R. , , vol.4, p.46101, 2016.

M. Martin, Appl. Phys. Lett, vol.109, p.253103, 2016.

A. A. Marmalyuk, O. I. Govorkov, A. V. Petrovsky, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa et al., J. Cryst. Growth, vol.237, p.264, 2002.

Y. A. Goldberg and N. M. Schmidt, Handbook Series on Semiconductor Parameters, 1999.

H. Asai and K. Oe, J. Appl. Phys, vol.54, p.2052, 1983.

I. Pelant and J. Valenta, Luminescence Spectroscopy of Semiconductors, 2012.

J. L. Rouvière, A. Mouti, and P. Stadelmann, J. Phys. Conf. Ser, vol.326, p.12022, 2011.

S. David, , vol.4, p.56102, 2016.

J. Rouviere, A. Ech-e, Y. Martin, T. Denneulin, and D. Cooper, Appl. Phys. Lett, vol.103, p.241913, 2013.

D. Cooper, N. Bernier, J. Rouvière, Y. Wang, W. Weng et al., Appl. Phys. Lett, vol.110, p.223109, 2017.

M. J. H?-ytch, E. Snoeck, and R. Kilaas, Ultramicroscopy, vol.74, p.131, 1998.

J. L. Rouvière and E. Sarigiannidou, Ultramicroscopy, vol.106, p.1, 2005.

J. L. Rouviere, The use of the geometrical phase analysis to measure strain in nearly periodic images, Microscopy of Semiconducting Materials, vol.120, 2007.

A. Ajay, C. B. Lim, D. A. Browne, J. Polaczy-nski, E. Bellet-amalric et al., Nanotechnology, vol.28, p.405204, 2017.

P. Harrison, Quantum Wells, Wires and Dots, 2010.

V. K. Yang, S. M. Ting, M. E. Groenert, M. T. Bulsara, M. T. Currie et al., J. Appl. Phys, vol.93, p.5095, 2003.

Y. Wang, Nanoscale Res. Lett, vol.12, p.1, 2017.

H. Schwenke, J. Knoth, L. Fabry, S. Pahlke, R. Scholz et al., J. Electrochem. Soc, vol.144, p.3979, 1997.

S. Hirose, A. Yoshida, M. Yamaura, N. Kano, and H. Munekata, J. Mater. Sci. Mater. Electron, vol.11, p.7, 2000.

N. Kobayashi and T. Makimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part, vol.2, p.824, 1985.

K. Sumino, Defect Control in Semiconductors, 1989.

O. Holtz, Impurities Confined in Quantum Structures, 2013.

J. P. Loehr, Y. C. Chen, D. Biswas, P. Bhattacharya, and J. Singh, Appl. Phys. Lett, vol.57, p.180, 1990.

W. T. Masselink, Y. Chang, and H. Morkoc, Phys. Rev. B, vol.32, p.5190, 1985.

J. L. Rouviere, Y. Martin, N. Bernier, M. Vigouroux, D. Cooper et al., Microsc. Microanal, vol.21, p.2209, 2015.

S. Sekigughi and T. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part, vol.1, p.2638, 1997.

N. Watanabe, T. Nittono, and H. Ito, J. Cryst. Growth, vol.145, p.929, 1994.

D. H. Zhang and C. Y. Li, Superlattices Microstruct, vol.24, p.119, 1998.

P. M. Petroff, R. C. Miller, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett, vol.44, p.217, 1984.

J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and S. N. Chu, Appl. Phys. Lett, vol.66, p.1397, 1995.

K. Mukherjee, D. A. Beaton, A. Mascarenhas, M. T. Bulsara, and E. A. Fitzgerald, J. Cryst. Growth, vol.392, p.74, 2014.

P. Roura, A. Vila, J. Bosch, M. Opez, A. Cornet et al., J. Appl. Phys, vol.82, p.1147, 1997.

K. Rammohan, D. H. Rich, R. S. Goldman, J. Chen, H. H. Wieder et al., Appl. Phys. Lett, vol.66, p.869, 1995.