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Communication dans un congrès

Etching Mechanisms of Si Containing Materials in Remote Plasma Source using NF3 based Gas Mixture

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01942770
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : lundi 3 décembre 2018 - 14:23:38
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:28

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942770, version 1

Collections

Citation

E. Pargon, V. Renaud, C. Petit-Etienne, L. Vallier, G. Tomachot, et al.. Etching Mechanisms of Si Containing Materials in Remote Plasma Source using NF3 based Gas Mixture. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, United States. ⟨hal-01942770⟩

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