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Atomistic mechanisms of copper filament formation and composition in Al 2 O 3 -based conductive bridge random access memory

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929845
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 14:25:19
Dernière modification le : jeudi 30 juillet 2020 - 03:00:36

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C. Nail, P. Blaise, G. Molas, M. Bernard, A. Roule, et al.. Atomistic mechanisms of copper filament formation and composition in Al 2 O 3 -based conductive bridge random access memory. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2017, 122 (2), ⟨10.1063/1.4990979⟩. ⟨hal-01929845⟩

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