Impact of the wetting layer thickness on the emission wavelength of direct band gap GeSn/Ge quantum dots - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Research Express Année : 2017

Impact of the wetting layer thickness on the emission wavelength of direct band gap GeSn/Ge quantum dots

B Ilahi.
  • Fonction : Auteur
R Al-Saigh.
  • Fonction : Auteur
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929324

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-10:24:35

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:25:58

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Dates et versions

hal-01929324 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929324 , version 1

Citer

B Ilahi., R Al-Saigh., B. Salem. Impact of the wetting layer thickness on the emission wavelength of direct band gap GeSn/Ge quantum dots. Materials Research Express, 2017, 4(7) (075026). ⟨hal-01929324⟩

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