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Communication dans un congrès

Fabrication and characterization of horizontal and vertical GeSn nanowires using a “top-down” approach for future CMOS generations

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929248
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:55:28
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:02:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929248, version 1

Collections

Citation

E. Eustache, S. Labau, T. Haffner, M.A. Mahjoub, J. Aubin, et al.. Fabrication and characterization of horizontal and vertical GeSn nanowires using a “top-down” approach for future CMOS generations. Journées Nationales des Nanofils Semiconducteurs, J2N 2017, 2017, Grenoble, France. ⟨hal-01929248⟩

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