Fabrication and characterization of horizontal and vertical GeSn nanowires using a “top-down” approach for future CMOS generations - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Fabrication and characterization of horizontal and vertical GeSn nanowires using a “top-down” approach for future CMOS generations

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929248

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-09:55:28

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:42:05

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Dates et versions

hal-01929248 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929248 , version 1

Citer

E. Eustache, S. Labau, T. Haffner, M.A. Mahjoub, J. Aubin, et al.. Fabrication and characterization of horizontal and vertical GeSn nanowires using a “top-down” approach for future CMOS generations. Journées Nationales des Nanofils Semiconducteurs, J2N 2017, 2017, Grenoble, France. ⟨hal-01929248⟩

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