Atomistic Simulations of H2 Plasma Modification of SiN Thin-Films for Advanced Etch Processes - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Atomistic Simulations of H2 Plasma Modification of SiN Thin-Films for Advanced Etch Processes

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929202

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-09:30:48

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01929202 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929202 , version 1

Citer

V. Martirosyan, E. Despiau-Pujo, O. Joubert. Atomistic Simulations of H2 Plasma Modification of SiN Thin-Films for Advanced Etch Processes. AVS 64th International Symposium, Tampa (USA), Oct 29-Nov 3, 2017, Oct 2017, tampa, United States. ⟨hal-01929202⟩

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