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Communication dans un congrès

Atomistic Simulations of H2 Plasma Modification of SiN Thin-Films for Advanced Etch Processes

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929202
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 21 novembre 2018 - 09:30:48
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:02

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929202, version 1

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Citation

V. Martirosyan, E. Despiau-Pujo, O. Joubert. Atomistic Simulations of H2 Plasma Modification of SiN Thin-Films for Advanced Etch Processes. AVS 64th International Symposium, Tampa (USA), Oct 29-Nov 3, 2017, Oct 2017, tampa, United States. ⟨hal-01929202⟩

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