Procédé optimisé de fabrication de motifs de matériau semi-conducteur III-V sur un substrat semi-conducteur. - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2013

Procédé optimisé de fabrication de motifs de matériau semi-conducteur III-V sur un substrat semi-conducteur.

T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
F. Bassani
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01905089

Soumis le : jeudi 25 octobre 2018-15:31:06

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01905089 , version 1 (25-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01905089 , version 1

Citer

T. Baron, F. Bassani. Procédé optimisé de fabrication de motifs de matériau semi-conducteur III-V sur un substrat semi-conducteur.. France, Patent n° : Brevet FRA 1358813. 2013. ⟨hal-01905089⟩

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