External UV light source to minimize the Asymetric resist pattern trimming rates induced by plasma UV light - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2013

External UV light source to minimize the Asymetric resist pattern trimming rates induced by plasma UV light

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01905080

Soumis le : jeudi 25 octobre 2018-15:28:51

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01905080 , version 1 (25-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01905080 , version 1

Citer

O Luere, O Joubert. External UV light source to minimize the Asymetric resist pattern trimming rates induced by plasma UV light. United States, Patent n° : US Patent Application No. 13/892,039. 2013. ⟨hal-01905080⟩

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CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
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