Growth and integration of group IV nanowires for Tunnel FET devices - Université Grenoble Alpes
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Growth and integration of group IV nanowires for Tunnel FET devices

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01891328

Soumis le : mardi 9 octobre 2018-14:37:31

Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:46

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Dates et versions

hal-01891328 , version 1 (09-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01891328 , version 1

Citer

B. Salem, V. Brouzet, P. Periwal, F. Bassani, P. Gentile, et al.. Growth and integration of group IV nanowires for Tunnel FET devices. Collaborative Conference on Materials Research (CCMR 2017), Jun 2017, Jeju island, South Korea. ⟨hal-01891328⟩

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