Atomistic simulations of He plasma modification of Si thin-films for advanced etch processes - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Atomistic simulations of He plasma modification of Si thin-films for advanced etch processes

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882933 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882933 , version 1

Citer

V. Martirosyan, E. Despiau-Pujo, O. Joubert. Atomistic simulations of He plasma modification of Si thin-films for advanced etch processes. Plasma Etch Strip in Microtechnology (PESM), May 2016, grenoble, France. ⟨hal-01882933⟩
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