Alternative solutions for nm-precision etching: H2 Plasmas Modification of Si/ SiN thin-films - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Alternative solutions for nm-precision etching: H2 Plasmas Modification of Si/ SiN thin-films

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882917

Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-15:10:33

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01882917 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882917 , version 1

Citer

E. Despiau-Pujo, V. Martirosyan, O. Joubert. Alternative solutions for nm-precision etching: H2 Plasmas Modification of Si/ SiN thin-films. AVS 63nd International Symposium, Nov 2016, Nashville, United States. ⟨hal-01882917⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
18 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More