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Communication dans un congrès

Alternative solutions for nm-precision etching: H2 Plasmas Modification of Si/ SiN thin-films

Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882917
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 27 septembre 2018 - 15:10:33
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:17

Identifiants

  • HAL Id : hal-01882917, version 1

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Citation

E. Despiau-Pujo, V. Martirosyan, O. Joubert. Alternative solutions for nm-precision etching: H2 Plasmas Modification of Si/ SiN thin-films. AVS 63nd International Symposium, Nov 2016, Nashville, United States. ⟨hal-01882917⟩

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