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Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO 2 thin films grown by the atomic layer deposition technique

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01882751
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 27 septembre 2018 - 13:16:11
Dernière modification le : mardi 6 octobre 2020 - 16:30:05

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A. Chaker, P. Szkutnik, J. Pointet, P. Gonon, Corentin Vallée, et al.. Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO 2 thin films grown by the atomic layer deposition technique. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2016, 119 (24), ⟨10.1063/1.4954314⟩. ⟨hal-01882751⟩

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