Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO 2 thin films grown by the atomic layer deposition technique - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2016

Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO 2 thin films grown by the atomic layer deposition technique

Domaines

Physique [physics]

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Dates et versions

hal-01882751 , version 1 (27-09-2018)

Identifiants

Citer

A. Chaker, P. Szkutnik, J. Pointet, P. Gonon, Corentin Vallée, et al.. Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO 2 thin films grown by the atomic layer deposition technique. Journal of Applied Physics, 2016, 119 (24), ⟨10.1063/1.4954314⟩. ⟨hal-01882751⟩

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