Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2016

Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates

Domaines

Physique [physics]

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hal-01881949 , version 1 (26-09-2018)

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Citer

Y. Bogumilowicz, M. Hartmann, N. Rochat, A. Salaün, M. Martin, et al.. Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates. Journal of Crystal Growth, 2016, 453, pp.180 - 187. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.08.022⟩. ⟨hal-01881949⟩

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