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Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01881949
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 26 septembre 2018 - 14:20:20
Dernière modification le : samedi 1 août 2020 - 03:03:17

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Y. Bogumilowicz, M. Hartmann, N. Rochat, A. Salaün, M. Martin, et al.. Threading dislocations in GaAs epitaxial layers on various thickness Ge buffers on 300 mm Si substrates. Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2016, 453, pp.180 - 187. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.08.022⟩. ⟨hal-01881949⟩

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