Oxygen scavenging in TiN/Ta2O5 stack by thin PVD-flashed Al layers for RRAM application. - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Oxygen scavenging in TiN/Ta2O5 stack by thin PVD-flashed Al layers for RRAM application.

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Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01877920

Soumis le : jeudi 20 septembre 2018-14:58:44

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01877920 , version 1 (20-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01877920 , version 1

Citer

A. Marty, R. Gassilloud, M. C. Bernard, E. Nolot, S. Favier, et al.. Oxygen scavenging in TiN/Ta2O5 stack by thin PVD-flashed Al layers for RRAM application.. ECASIA, 2015, Granada, Spain. ⟨hal-01877920⟩

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