Atomic precision etching by dynamic control of the reactive layer thickness in reactive plasmas - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2015

Atomic precision etching by dynamic control of the reactive layer thickness in reactive plasmas

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01877345

Soumis le : mercredi 19 septembre 2018-16:05:50

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:38

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01877345 , version 1 (19-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01877345 , version 1

Citer

O Joubert, G Cunge, E Despiau-Pujo, E Pargon, N Posseme. Atomic precision etching by dynamic control of the reactive layer thickness in reactive plasmas. United States, Patent n° : US 2015/0228495 A1. 2015. ⟨hal-01877345⟩

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CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
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