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Electromigration-induced failure in operando characterization of 3D interconnects: microstructure influence

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01877288
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : mercredi 19 septembre 2018 - 15:39:28
Dernière modification le : mercredi 9 septembre 2020 - 17:06:02

Identifiants

  • HAL Id : hal-01877288, version 1

Citation

S. Gousseau, S. Moreau, D. Bouchu, A. Farcy, P. Montmitonnet, et al.. Electromigration-induced failure in operando characterization of 3D interconnects: microstructure influence. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2015, vol. 55, pp.1205. ⟨hal-01877288⟩

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