Dopant profiling in silicon nanowires measured by scanning capacitance microscopy - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters Année : 2014

Dopant profiling in silicon nanowires measured by scanning capacitance microscopy

F Bassani.
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
P Periwal.
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
N Chevalier.
  • Fonction : Auteur
G Audoit.
  • Fonction : Auteur
T. Baron.
Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 6 septembre 2018-12:05:23

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Dates et versions

hal-01869159 , version 1 (06-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01869159 , version 1

Citer

F Bassani., P Periwal., B. Salem, N Chevalier., G Audoit., et al.. Dopant profiling in silicon nanowires measured by scanning capacitance microscopy. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, 2014, 8 (4), pp.312-316. ⟨hal-01869159⟩

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