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Dopant profiling in silicon nanowires measured by scanning capacitance microscopy

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01869159
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 6 septembre 2018 - 12:05:23
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:08

Identifiants

  • HAL Id : hal-01869159, version 1

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Citation

F Bassani., P Periwal., B. Salem., N Chevalier., G Audoit., et al.. Dopant profiling in silicon nanowires measured by scanning capacitance microscopy. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Wiley-VCH Verlag, 2014, 8 (4), pp.312-316. ⟨hal-01869159⟩

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