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High density and taper-free boron doped Si1-xGe x nanowire via two-step growth process

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01869145
Contributeur : Marielle Clot <>
Soumis le : jeudi 6 septembre 2018 - 11:57:08
Dernière modification le : vendredi 17 juillet 2020 - 09:10:08

Identifiants

  • HAL Id : hal-01869145, version 1

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Citation

P Periwal., B. Salem., F Bassani., T. Baron., J-P. Barnes.. High density and taper-free boron doped Si1-xGe x nanowire via two-step growth process. Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2014, Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 32 (4) (041401,). ⟨hal-01869145⟩

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