Atomic Layer Deposition: Low temperature process well adapted to ULSI and TFT technologies - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Atomic Layer Deposition: Low temperature process well adapted to ULSI and TFT technologies

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01825063

Soumis le : jeudi 28 juin 2018-09:07:01

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01825063 , version 1 (28-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01825063 , version 1

Citer

A. Chaker, P. Szkutnik, J. Pointet, P. Gonon, Corentin Vallée, et al.. Atomic Layer Deposition: Low temperature process well adapted to ULSI and TFT technologies. ULSIC vs TFT: 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Hernstein, Austria (invited), 2017, Hernstein, Austria. ⟨hal-01825063⟩

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