High capacitance 3D MIM structures achieved by ALD deposited TiO2 for advanced DRAM applications - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01825056 , version 1 (28-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01825056 , version 1

Citer

A. Chaker, P. Szkutnik, J. Pointet, P. Gonon, Corentin Vallée, et al.. High capacitance 3D MIM structures achieved by ALD deposited TiO2 for advanced DRAM applications. ALD 2017, 2017, Denver, United States. ⟨hal-01825056⟩
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