Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Nanoparticle Research Année : 2008

Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method

Résumé

In this paper the effect of varying temperature, pressure and chemical precursors on the vapour–liquid–solid (VLS) growth of silicon nanowires (Si NWs) have been investigated. Some aspects of nucleation and growth mechanisms are discussed. Control on Si NW morphology by varying the choice of gaseous precursor (silane or dichlorosilane) at elevated temperatures is reported.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00394394 , version 1 (28-09-2022)

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

Laurence Latu-Romain, Céline Mouchet, Cyril Cayron, Emmanuelle Rouvière, Jean-Pierre Simonato. Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method. Journal of Nanoparticle Research, 2008, 10, pp.1287-1291. ⟨10.1007/s11051-007-9350-3⟩. ⟨hal-00394394⟩
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