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Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method

Abstract : In this paper the effect of varying temperature, pressure and chemical precursors on the vapour–liquid–solid (VLS) growth of silicon nanowires (Si NWs) have been investigated. Some aspects of nucleation and growth mechanisms are discussed. Control on Si NW morphology by varying the choice of gaseous precursor (silane or dichlorosilane) at elevated temperatures is reported.
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00394394
Contributeur : Marielle Clot Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : mercredi 28 septembre 2022 - 16:09:20
Dernière modification le : jeudi 29 septembre 2022 - 04:58:00

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Laurence Latu-Romain, Céline Mouchet, Cyril Cayron, Emmanuelle Rouvière, Jean-Pierre Simonato. Growth parameters and shape specific synthesis of silicon nanowires by the VLS method. Journal of Nanoparticle Research, 2008, 10, pp.1287-1291. ⟨10.1007/s11051-007-9350-3⟩. ⟨hal-00394394⟩

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