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	hal-00672043v1 Communication dans un congrès D. Chaussende. Vapor Phase vs. Liquid Phase: What is the Best Choice for the Growth of Bulk 3C-SiC Crystals? European Materials Research Society (E-MRS) Spring meeting, Jun 2010, Strasbourg, France
	hal-00672047v1 Communication dans un congrès D. Chaussende. Overview of SiC bulk growth processes Confidential, Dec 2010, Amagasaki, Japan
	hal-00671980v1 Communication dans un congrès D. Chaussende. Cristallogenèse des semi-conducteurs à grand gap : contexte et enjeux Les Midis MINATEC, Jun 2009, Grenoble, France
	hal-01067399v1 Article dans une revue T. Ouisse, D. Chaussende. Application of an axial next-nearest-neighbor Ising model to the description of Mn+1AXn phases Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2012, 85 (10), pp.104110. <10.1103/PhysRevB.85.104110>
	hal-01067393v1 Article dans une revue F. Mercier, T. Ouisse, D. Chaussende. Morphological instabilities induced by foreign particles and Ehrlich-Schwoebel effect during the two-dimensional growth of crystalline Ti3SiC2 Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2011, 83 (7), pp.075411. <10.1103/PhysRevB.83.075411>
	hal-00173471v1 Communication dans un congrès D. Chaussende, M. Pons, R. Madar. Gas fed top-seeded solution growth of silicon carbide Internatinal Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM2005, 2005, France. 527-529, pp.111-114, 2006
	hal-00141565v1 Article dans une revue D. Chaussende, L. Latu-Romain, M. Pons. High temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal SiC nominal surfaces Crystal Growth and Design, American Chemical Society, 2006, 6 (12), pp.2788-2794
	hal-00394391v1 Article dans une revue L. Latu-Romain, D. Chaussende, M. Pons. High temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal-SiC nominal surfaces Crystal Growth and Design, American Chemical Society, 2006, pp.6, 12 (2006) 2788-2794
	hal-00114194v1 Article dans une revue D. Chaussende, M. Pons, P. Wellmann. Status of SiC bulk growth process Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2007, 20, pp.6150-6158
	hal-01067412v1 Article dans une revue Martin Seiss, T. Ouisse, D. Chaussende. Comparison of the spiral growth modes of silicon-face and carbon-face silicon carbide crystals Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2013, 384, pp.129-134. <10.1016/j.jcrysgro.2013.09.022>
	hal-01116026v1 Article dans une revue T. Ouisse, Didier Chaussende, Laurent Auvray. Micropipe-induced birefringence in 6H silicon carbide Journal of Applied Crystallography, International Union of Crystallography, 2010, 43, pp.122
	hal-01067400v1 Article dans une revue T. Ouisse, D. Chaussende, L. Auvray. Micropipe-induced birefringence in 6H silicon carbide Journal of Applied Crystallography, International Union of Crystallography, 2010, 43, pp.122-133. <10.1107/s0021889809043957>
	hal-00426590v1 Communication dans un congrès A. Claudel, D. Chaussende, E. Blanquet, D. Pique, M. Pons. Influence of the N/Al Ratio in the Gas Phase on the Growth of AlN by High Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD) 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelone, Spain. Trans Tech Publications, 615-617, pp.987-990, 2009, Material Science Forum
	hal-00432756v1 Article dans une revue E. Blanquet, D. Chaussende, A. Claudel, D. Pique, M. Pons. Influence of total pressure and precursors flow rates on the growth of aluminum nitride by high temperature chemical vapor deposition (HTCVD) physica status solidi (c), Wiley, 2009, 6, pp.S348-S351
	hal-01226019v1 Article dans une revue X. Li, H. Jacobson, Alexandre Boulle, Didier Chaussende, A. Henry. Double-Position-Boundaries Free 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on On-Axis 4H-SiC ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 3 (4), pp.P75-P81. <10.1149/2.012404jss>
	hal-00907667v1 Article dans une revue Alexandre Boulle, Deborah Dompoint, I. Galben-Sandulache, Didier Chaussende. Polytypic transformations in SiC: Diffuse x-ray scattering and Monte Carlo simulations Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2013, 88, pp.024103-1-024103-10. <10.1103/PhysRevB.88.024103>
	hal-00686902v1 Communication dans un congrès Alexandre Boulle, Deborah Dompoint, I. Galben-Sandulache, Didier Chaussende. Defects and polytypism in SiC : the role of diffuse X-ray scattering G. FERRO, P. SIFFERT. E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg, France. American Institute of Physics, 1292, pp.43-46, 2010, AIP Conference Proceedings. <10.1063/1.3518307>
	hal-00686913v1 Communication dans un congrès Deborah Dompoint, Alexandre Boulle, I.G. Galben-Sandulache, Didier Chaussende. Study of the stability of 3C-SiC single crystals using high resolution diffuse X-ray scattering G. FERRO, P. SIFFERT. E-MRS, Jun 2010, Strasbourg, France. American Institute of Physics, 1292, pp.71-74, 2010, AIP Conference Proceedings. <10.1063/1.3518314>
	hal-00758429v1 Article dans une revue Deborah Dompoint, Alexandre Boulle, I.G. Galben-Sandulache, D. Chaussende. Diffuse X-ray scattering from partially transformed 3C-SiC single crystals Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Elsevier, 2012, 284, pp.19-22. <10.1016/j.nimb.2011.09.008>
	hal-00389062v1 Communication dans un congrès D. Chaussende, J. Eid, F. Mercier, R. Madar, M. Pons. Nucleation and Growth of 3C-SiC Single Crystals from the Vapor Phase 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelone, Spain. Trans Tech Publications, 615-617, pp.31-36, 2009, Material Science Forum
	hal-01067392v1 Article dans une revue F. Mercier, O. Chaix-Pluchery, T. Ouisse, D. Chaussende. Raman scattering from Ti3SiC2 single crystals Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2011, 98 (8), pp.081912. <10.1063/1.3558919>
	hal-00418779v1 Article dans une revue Alexandre Boulle, J. Aube, I.G. Galben-Sandulache, D. Chaussende. The 3C-6H polytypic transition in SiC as revealed by diffuse x-ray scattering Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 94, 201904 (3 p.). <10.1063/1.3141509>
	hal-00337375v1 Communication dans un congrès F. Mercier, D. Chaussende, R. Madar, M. Pons. Comparative study of differently grown 3C-SiC single crystals with birefringence microscopy Internatinal Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM2007, 2007, Kyoto, Japan. 600-603, pp.71-74, 2009
	hal-00502036v1 Communication dans un congrès M. Pons, S. Nishizawa, E. Blanquet, R. Boichot, D. Chaussende. Numerical Simulation of SiC Growth processes: a characterization tool for the design of epitaxial structures in electronics Renewable Energy 2010, Jun 2010, Yokohama, Japan
	hal-00141097v1 Communication dans un congrès E. Blanquet, D. Chaussende, S. Nishizawa, M. Pons. High Temperature Silicon Carbide Chemical Vapor deposition processes: from pure thermodynamic to Mass transport modeling European conference on Computational Dynamics, Symposium, Sep 2006, Egmondaan Zee, Netherlands. pp.1-20, 2006
	hal-00374734v1 Article dans une revue D. Chaussende, F. Mercier, R. Madar, M. Pons. Comparative study of differently grown 3C-SiC single crystals with birefringence microscopy Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2009, 600-603, pp.71-74
	hal-00196658v1 Communication dans un congrès J.M. Dedulle, D. Chaussende, M. Pons, R. Madar. Modèle de champ de phase pour la croissance cristalline MATERIAUX 2006, 2006, France. Société de Chimie Industrielle, pp.10, 2006
	hal-00196662v1 Communication dans un congrès J.M. Dedulle, F. Mercier, D. Chaussende, M. Pons. Modeling of 3C-SiC Single Crystal Growth Conférence européenne COMSOL, 2007, France. pp.8, 2007
	hal-00196665v1 Communication dans un congrès F. Mercier, D. Chaussende, J.M. Dedulle, M. Pons. Preliminary study of 3C-SiC growth from high temperature solution Hetero'SiC'07, 2007, France. pp.2, 2007
	hal-01067388v1 Article dans une revue J. Lefebure, J. M. Dedulle, T. Ouisse, D. Chaussende. Modeling of the Growth Rate during Top Seeded Solution Growth of SiC Using Pure Silicon as a Solvent Crystal Growth and Design, American Chemical Society, 2012, 12 (2), pp.909-913. <10.1021/cg201343w>
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