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	hal-00390506v1  Communication dans un congrès C. Durand, C. Vallée, M. Bonvalot. Roles of oxygen and solvent in the interface formation during the pulsed-liquid injection PE-MOCVD deposition of Y2O3 in MIM and MOS structures 51st National Symposium AVS,, 2004, Anaheim, United States
	hal-00488319v1  Communication dans un congrès C. Vallée, C. Durand, M. Derivaz, M. Kahn, M. Bonvalot. Roles of oxygen plasma and solvent in the interface formation during the pulsed-liquid injection PE-MOCVD deposition of Y2O3 in MIM and MOS structures AVS, 51h National Symposium AVS, 2004, Anaheim, United States
	hal-00396832v1  Communication dans un congrès M. Bonvalot, M. Kahn, C. Vallée, C. Dubourdieu, O. Joubert. Elaboration, chemical and electrical analyses of intermixal and nanolaminate HfO2-Al2O3 MIM capacitor structures 54th National Symposium AVS, 2007, SEATTLE, United States
	hal-00669560v1  Communication dans un congrès Corentin Jorel, C. Vallée, M. Kahn, M. Bonvalot, P. Gonon. Improved trade-off between capacitance density and voltage response in MIM capacitor using SrTiO3 / medium k bilayers 2008 MRS Fall Meeting, Dec 2008, Boston, United States
	hal-00397015v1  Communication dans un congrès M. Bonvalot, M. Kahn, C. Vallee, J. Ducote, O. Joubert. Influence of the bottom electrode material in Y2O3 MIM capacitors 53th National Symposium AVS, 2006, san francisco, United States
	hal-00396830v1  Communication dans un congrès C. Vallée, M. Kahn, E. Gourvest, M. Bonvalot, O. Joubert. Pulsed Plasma-enhanced CVD of Y2O3 in MIM capacitors 54th National Symposium AVS, 2007, SEATTLE, United States
	hal-00285355v1  Article dans une revue D. Fuard, O. Joubert, L. Vallier, M. Bonvalot. High density plasma etching of low k dielectric polymers in Oxygen-based chemistries J. Vac. Sci. Technol, 2001, B19(2),, pp.447
	hal-00466207v1  Article dans une revue M. Bonvalot, C. Vallee, E. Gourvest, Corentin Jorel, P. Gonon. Optimizing MIM Device Electrical Properties: Impact of Bottom Electrodes and High k materials Performance and reliability of semiconductor devices, 2009, pp.Vol. 1108 (2009) 97-104
	hal-00285340v1  Article dans une revue L. Vallier, L. Desvoires, M. Bonvalot, O. Joubert. Thin gate oxide behavior during plasma patterning of Silicon gates Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 1999, 75(8),, pp.1069
	hal-00494537v1  Communication dans un congrès O. Joubert, L. Vallier, M. Bonvalot, L. Desvoires, P. Gouraud et al.  Challenges in gate etching for sub 0.1 µm ultra large scale integration technology ICMI 2000, First International Conferences on Microelectronics and Interfaces, 2000, santa clara, United States
	hal-00397014v1  Communication dans un congrès C. Vallee, M. Kahn, E. Defay, C. Dubourdieu, M. Bonvalot et al.  Voltage linearity improvement with SrTiO3/Y2O3 MIM capacitors 53th National Symposium AVS, 2006, san francisco, United States
	hal-00397019v1  Communication dans un congrès E. Gourvest, M. Kahn, C. Vallee, P. Gonon, Corentin Jorel et al.  Improved electrical properties using high work function electrode material for MIM capacitor applications Proc.eedings of the 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, WODIM 2008, 2008, Germany
	hal-00397016v1  Communication dans un congrès C. Vallee, P. Gonon, F. El Kamel, E. Gourvest, M. Kahn et al.  Influence of Oxygen Vacancies on the Nonlinear Behavior of High-k MIM Capacitors Proceedings of the 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, WODIM 2008, 2008, Germany
	hal-00625199v1  Article dans une revue M. Bonvalot, M. Kahn, C. Vallee, E. Gourvest, H. Abed et al.  Combined spectroscopic ellipsometry and attenuated total reflection analyses of Al2O3/HfO2 nanolaminates Thin Solid Films, Elsevier, 2010, pp.518, 5057-5060
	hal-00669561v1  Communication dans un congrès C. Vallée, P. Gonon, F. El Kamel, E. Gourvest, M. Kahn et al.  Influence of oxygen vacancies on the nonlinear behaviour of high k MIM capacitors Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM), Jun 2008, Berlin, Germany
	hal-00669558v1  Communication dans un congrès C. Vallée, P. Gonon, E. Gourvest, Corentin Jorel, M. Mougenot et al.  Some high k potential for MIM or RRAM applications 55h National Symposium AVS (2008), Oct 2008, Boston, United States
	hal-00669564v1  Communication dans un congrès E. Gourvest, M. Kahn, C. Vallée, P. Gonon, Corentin Jorel et al.  Improved electrical properties using high work function electrode materials for MIM capacitors applications Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM), Jun 2008, Berlin, Germany
	hal-00394806v1  Article dans une revue Corentin Jorel, C. Vallee, E. Gourvest, B. Pelissier, M. Kahn et al.  Physicochemical and electrical characterizations of atomic layer deposition grown HfO2 on TiN and Pt for metal-insulator-metal application Journal of Vacuum Science and Technology, American Vacuum Society (AVS), 2009, pp.B, 27, 1 (2009) 378-383
	hal-00650189v1  Communication dans un congrès M. Bonvalot, C. Mannequin, P. Gonon, C. Vallée, V. Jousseaume et al.  Resistive Switching in HfO2 Metal-Insulator-Metal Devices 58th National Symposium AVS, Oct 2011, Nashville, United States
	hal-00486337v1  Communication dans un congrès C. Durand, B. Pelissier, C. Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier et al.  Pulsed Injection Plasma Enhanced MOCVD of high k Y2O3 layers for gate dielectric Application 49th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2002, Denver, United States
	hal-00486351v1  Communication dans un congrès C. Vallée, C. Durand, B. Pelissier, M. Bonvalot, E. Gautier et al.  Deposition of high-k Y2O3 oxides by pulsed injection plasma enhanced MOCVD 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), 2002, Grenoble, France
	hal-00486345v1  Communication dans un congrès B. Pelissier, C. Durand, C. Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier et al.  Etch mechanisms of SiOC and selectivity to SiO2 and SiC in fluoro carbon based Plasmas 49th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2002, Denver, United States
	hal-00944882v1  Brevet O. Joubert, G. Cunge, J. Foucher, D. Fuard, M. Bonvalot et al.  Process for making a gate for a short channel CMOS transistor structure Patent n° : WO0205336. 2004
	hal-00669570v1  Communication dans un congrès C. Vallée, C. Durand, B. Pelissier, M. Bonvalot, E. Gautier et al.  Deposition of high k Y2O3 oxides by pulsed injection plasma enhanced MOCVD 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), Nov 2002, Grenoble, France
	hal-00669571v1  Communication dans un congrès C. Durand, B. Pelissier, C. Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier et al.  Pulsed injection PE-MOCVD of Y2O3 layers for gate dielectric applications AVS 49th International Symposium, Nov 2002, Denver, United States
	hal-00484647v1  Communication dans un congrès C. Durand, C. Vallée, O. Salicio, V. Loup, M. Bonvalot et al.  Incidence of deposition parameters on the structural properties of Y2O3 grown by pulsed injection PE-MOCVD ECS 203th Meeting, 2003, paris, France. pp.Volume 2003-13, 2003
	hal-00484644v1  Communication dans un congrès C. Durand, C. Vallée, C. Dubourdieu, M. Bonvalot, E. Gautier et al.  Silicate interface formation during the deposition of Y2O3 on Si Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 2003, United States. pp.Vol. 786, E6.15, 2003
	hal-00390544v1  Communication dans un congrès B. Pelissier, C. Durand, C. Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier et al.  Pulsed Plasma Enhanced MOCVD of high k Y2O3 layers for gate dielectric applications Présentation MRS 2002 (fall meeting), 2002, boston, United States
	hal-00390546v1  Communication dans un congrès C. Vallée, C. Durand, B. Pelissier, M. Bonvalot, C. Dubourdieu et al.  Structural properties of high k Y2O3 layers prepared by Pulsed injection Plasma Présentation MRS 2002 (fall meeting), 2002, Boston, United States
	hal-00390403v1  Article dans une revue C. Durand, C. Vallée, C. Dubourdieu, E. Gautier, M. Bonvalot et al.  Interface formation during the yttrium oxide deposition on Si by pulsed liquid-injection plasma enhanced metal-organic chemical vapor deposition Journal of Vacuum Science and Technology, American Vacuum Society (AVS), 2005, pp.A22(6) (2005) 2490-2499
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