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		Pertinence Auteur A→Z Auteur Z→A Titre A→Z Titre Z→A Date de publication croissante Date de publication décroissante Date de dépôt croissante Date de dépôt décroissante 30 résultats par page 50 résultats par page 100 résultats par page Pour les 19 documents Exporter XML-TEI BibTeX EndNote CSV PDF Export avancé... Syndication RSS ATOM
	hal-00371183v1 Communication dans un congrès V. Verrière, C. Guedj, V. Arnal, Alain Sylvestre. Dielectric conduction mechanisms of advanced interconnect conduction mechanism at low fields and determination of defect density International Reliability Physics Symposium IRPS, Apr 2008, United States. 2008
	hal-00354602v1 Article dans une revue M. Cheynet, S. Pokrant, F. Volpi, M. Aimadeddine, V. Arnal. STEM-EELS investigations of Ultra-Low-k dielectrics after chemical mechanical polishing: impact on energy band gap Under review Microelectronic Engineering, 2008
	hal-00457547v1 Article dans une revue M. Cheynet, S. Pokrant, F. Volpi, M. Aimadeddine, V. Arnal. HAAF and EELS study of ULK dielectrics: Impact of CMP on microstructure and electronic properties Imaging & Microscopy, 2009, 11 (1), pp.44-47
	hal-00397838v1 Communication dans un congrès A. Farcy, M. Gallitre, V. Arnal, J. Torres, B. Flechet et al. Evolution and challenges of interconnect technologies and performance 12th IEEE Signal Propagation on Interconnects, May 2008, France
	hal-00397420v1 Article dans une revue M. Gallitre, B. Blampey, B. Fléchet, A. Farcy, V. Arnal et al. Characterization of porous ULK SiOCH and impact on signal propagation for on-chip interconnects of the 45 nm node Proc. of the European Microwave Association, 2008, 4, pp.131-138
	hal-00399945v1 Communication dans un congrès N. Posseme, R. Bouyssou, T. Chevolleau, T. David, V. Arnal et al. Understanding of residues growth on TiN hard mask after etching in fluorocarbon-based plasmas Proceeding of DPS, Symposium on Dry Process, 2008, tokyo, Japan
	hal-00625286v1 Article dans une revue N. Posseme, R. Bouyssou, T. Chevolleau, T. David, V. Arnal et al. Residue growth on metallic hard mask after dielectric etching in fluorocarbon based plasmas. II. Solutions Vac. Sci. Technol., 2011, pp.B 29 (1), Jan/Feb 2011, 011018
	hal-00647504v1 Article dans une revue N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal et al. Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms J. Vac. Sci. Technol, 2010, pp.B 28, 809
	hal-00399970v1 Communication dans un congrès N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal et al. Mechanisms of residue formation on TiN hard mask after fluorocarbon plasma patterning of porous SiOCH films 55th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2008, boston, United States
	hal-00398597v1 Communication dans un congrès M. Gallitre, B. Blampey, T. Lacrevaz, A. Farcy, C. Bermond et al. Impact des pertes diélectriques de matériaux à très faible permittivité sur les performances des interconnexions de circuits intégrés 10èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, Apr 2008, France. 2008
	hal-00397857v1 Communication dans un congrès M. Gallitre, B. Blampey, B. Fléchet, A. Farcy, V. Arnal et al. First evidence of dielectric loss effects with ultra low-k materials and impact on interconnect propagation performance Materials for Advanced Metallization Conf, Mar 2008, France. 2008
	halshs-00136993v1 Autre publication C. Arnal, R. Fillod, R. Nifle, Robert D'Ercole, Patrick Pigeon et al. Mise au point d'un outil d'aide à la décision dans le domaine du risque sismique. Démarche expérimentale d'appropriation de la problématique des risques par les acteurs d'une collectivité urbaine (RP-50020-FR ) Edytem equipe 3 2003-2010. Rapport commandité par la Région Rhône-Alpes. 2000
	hal-00462654v1 Article dans une revue M. Aimadeddine, V. Arnal, A. Farcy, C. Guedj, T. Chevolleau et al. Impact of patterning and ashing on electrical properties and reliability of interconnects in porous SiOCH ultra low-k dielectric materials Microelectronic Engineering 82, 2005, pp.82 (2005) 341-347
	hal-00397091v1 Article dans une revue H. Chaabouni, L.L. Chapelon, M. Aimadeddine, J. Vitiello, A. Farcy et al. Side wall restoration of porous ultra low k dielectrics for sub-45 nm technology nodes Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84, pp.2595-2599
	hal-00397046v1 Article dans une revue M. Aimadeddine, V. Arnal, A. Farcy, C. Guedj, T. Chevolleau et al. Impact of patterning and ashing on electrical properties and reliability of interconnects in a porous SiOCH ultra low-k dielectric materials Micro and Nano Engineering,, 2005, pp.82, (2005), 341-347
	hal-00149094v1 Communication dans un congrès M. Aimadeddine, V. Arnal, Daniel Roy, A. Farcy, T. David et al. Effect of CH4 plasma on porous dielectric modification & pore sealing for advanced interconnect technology nodes.. International Interconnect Technology Conference, 2006, France. Proceedings of the International Interconnect Technology Conference, pp.81-83, 2006
	hal-00399803v1 Communication dans un congrès N. Posseme, R. Bouyssou, T. Chevolleau, T. David, V. Arnal et al. In situ post etch treatment as solution to improve defect density for porous Low-k integration using metallic hard mask IITC, Interconnect Technology Conference,, 2009, saporo, Japan
	hal-00466333v1 Article dans une revue Lg. Gosset, S. Chhun, W. Besling, T. Vanypre, A. Farcy et al. Interest and characterization of a hybrid CoWP/SiCN architecture for sub-65 nrn technology nodes Advanced Metallization Conference 2005 AMC, 2006, pp.587-593
	hal-00398957v1 Communication dans un congrès R. Gras, F. Gaillard, D. Bouchu, A. Farcy, E. Icard et al. 300 mm Multi Level Air Gap Integration for Edge Interconnect Technologies and Specific High Performance Applications IITC, Interconnect Technology Conference, 2008, san francisco, United States
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