Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP∕InGaAs∕InP

D. Barba; B. Salem; D. Morris; V. Aimez; J. Beauvais; M. Chicoine; F. Schiettekatte

doi:10.1063/1.2033143

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005

Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP∕InGaAs∕InP

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D. Barba

Fonction : Auteur

B. Salem

Fonction : Auteur
PersonId : 174867
IdHAL : bassem-salem
ORCID : 0000-0001-8038-3205
IdRef : 092216625

Laboratoire des technologies de la microélectronique

D. Morris

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V. Aimez

Fonction : Auteur
PersonId : 182750
IdHAL : vaimez
ORCID : 0000-0002-1594-3242
IdRef : 144755300

Université de Sherbrooke

J. Beauvais

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M. Chicoine

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Regroupement Québécois sur les Matériaux de Pointe

F. Schiettekatte

Fonction : Auteur

Regroupement Québécois sur les Matériaux de Pointe

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-11:48:43

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:09

Dates et versions

hal-02353348 , version 1 (07-11-2019)

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HAL Id : hal-02353348 , version 1
DOI : 10.1063/1.2033143

Citer

D. Barba, B. Salem, D. Morris, V. Aimez, J. Beauvais, et al.. Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP∕InGaAs∕InP. Journal of Applied Physics, 2005, 98 (5), pp.054904. ⟨10.1063/1.2033143⟩. ⟨hal-02353348⟩

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