Optimizing the spacer layer thickness of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: C Année : 2006

Optimizing the spacer layer thickness of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02353058

Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-10:38:35

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:23

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Dates et versions

hal-02353058 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

Citer

B. Ilahi, L. Sfaxi, F. Hassen, B. Salem, G. Bremond, et al.. Optimizing the spacer layer thickness of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots. Materials Science and Engineering: C, 2006, 26 (2-3), pp.374-377. ⟨10.1016/j.msec.2005.10.034⟩. ⟨hal-02353058⟩

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