Improved characteristics of a terahertz set-up built with an emitter and a detector made on proton-bombarded GaAs photoconductive materials

B. Salem; D Morris; V. Aimez; J. Beauvais; D Houde

doi:10.1088/0268-1242/21/3/012

Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2006

Improved characteristics of a terahertz set-up built with an emitter and a detector made on proton-bombarded GaAs photoconductive materials

(1) , , (2) , ,

1
2

B. Salem

Fonction : Auteur
PersonId : 174867
IdHAL : bassem-salem
ORCID : 0000-0001-8038-3205
IdRef : 092216625

Laboratoire des technologies de la microélectronique

D Morris

Fonction : Auteur

V. Aimez

Fonction : Auteur
PersonId : 182750
IdHAL : vaimez
ORCID : 0000-0002-1594-3242
IdRef : 144755300

Université de Sherbrooke

J. Beauvais

Fonction : Auteur

D Houde

Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-09:53:50

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:08:51

Dates et versions

hal-02352924 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02352924 , version 1
DOI : 10.1088/0268-1242/21/3/012

Citer

B. Salem, D Morris, V. Aimez, J. Beauvais, D Houde. Improved characteristics of a terahertz set-up built with an emitter and a detector made on proton-bombarded GaAs photoconductive materials. Semiconductor Science and Technology, 2006, 21 (3), pp.283-286. ⟨10.1088/0268-1242/21/3/012⟩. ⟨hal-02352924⟩

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