Plasma etching processes for the fabrication of a low-loss SiN micro-resonator and low power threshold of parametric oscillations - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Plasma etching processes for the fabrication of a low-loss SiN micro-resonator and low power threshold of parametric oscillations

L. Youssef
Laboratoire des technologies de la microélectronique
E. Pargon
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Petit-Etienne
Laboratoire des technologies de la microélectronique
H. El Dirani
  • Fonction : Auteur
C. Sciancalepore
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mardi 22 octobre 2019-09:38:41

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:38

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02324790 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02324790 , version 1

Citer

L. Youssef, E. Pargon, C. Petit-Etienne, H. El Dirani, C. Sciancalepore. Plasma etching processes for the fabrication of a low-loss SiN micro-resonator and low power threshold of parametric oscillations. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 11th International Workshop, May 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02324790⟩

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