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Electrical Properties of Low-Temperature Processed Sn-Doped In2O3 Thin Films: The Role of Microstructure and Oxygen Content and the Potential of Defect Modulation Doping

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http://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02183969
Contributeur : Labo Lmgp <>
Soumis le : lundi 15 juillet 2019 - 17:05:52
Dernière modification le : vendredi 3 juillet 2020 - 16:45:16

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Getnet Kacha Deyu, Jonas Hunka, Hervé Roussel, Joachim Brötz, Daniel Bellet, et al.. Electrical Properties of Low-Temperature Processed Sn-Doped In2O3 Thin Films: The Role of Microstructure and Oxygen Content and the Potential of Defect Modulation Doping. Materials, MDPI, 2019, 12 (14), pp.2232. ⟨10.3390/ma12142232⟩. ⟨hal-02183969⟩

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