Characterization of Highly Doped Si Through the Excitation of THz Surface Plasmons - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology Année : 2015

Characterization of Highly Doped Si Through the Excitation of THz Surface Plasmons

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Frédéric Garet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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hal-02009187 , version 1 (06-02-2019)

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Citer

Maxim Nazarov, Alexander Shkurinov, Frédéric Garet, Jean-Louis Coutaz. Characterization of Highly Doped Si Through the Excitation of THz Surface Plasmons. IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 2015, 5 (4), pp.680-686. ⟨10.1109/TTHZ.2015.2443562⟩. ⟨hal-02009187⟩

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