Evolution of Bulk c-Si Properties during the Processing of GaP/c-Si Heterojunction Cell - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Energy Procedia Année : 2015

Evolution of Bulk c-Si Properties during the Processing of GaP/c-Si Heterojunction Cell

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991905

Soumis le : jeudi 24 janvier 2019-10:40:47

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:44

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Dates et versions

hal-01991905 , version 1 (24-01-2019)

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Citer

Renaud Varache, Maxime Darnon, Médéric Descazeaux, Mickaël Martin, Thierry Baron, et al.. Evolution of Bulk c-Si Properties during the Processing of GaP/c-Si Heterojunction Cell. Energy Procedia, 2015, 77, pp.493-499. ⟨10.1016/j.egypro.2015.07.070⟩. ⟨hal-01991905⟩

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