Electrical characterisation of horizontal and vertical gate-all-around Si/SiGe nanowires field effect transistors - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Electrical characterisation of horizontal and vertical gate-all-around Si/SiGe nanowires field effect transistors

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Physique [physics]

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Soumis le : jeudi 24 janvier 2019-10:27:54

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Dates et versions

hal-01991871 , version 1 (24-01-2019)

Identifiants

Citer

B. Salem, G. Rosaz, N. Pauc, P. Gentile, P. Periwal, et al.. Electrical characterisation of horizontal and vertical gate-all-around Si/SiGe nanowires field effect transistors. 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Jun 2014, Honolulu, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/SNW.2014.7348570⟩. ⟨hal-01991871⟩

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