III-V/Ge Heterostructure Etching for Through Cell Via Contact Multijunction Solar Cell - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

III-V/Ge Heterostructure Etching for Through Cell Via Contact Multijunction Solar Cell

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02324762 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02324762 , version 1

Citer

M. De Lafontaine, G. Gay, C. Petit-Etienne, E. Pargon, M. Darnon, et al.. III-V/Ge Heterostructure Etching for Through Cell Via Contact Multijunction Solar Cell. 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Oct 2018, Long Beach, United States. ⟨hal-02324762⟩
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