Anisotropic and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Anisotropic and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01929191

Soumis le : mercredi 21 novembre 2018-09:21:26

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:24:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01929191 , version 1 (21-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01929191 , version 1

Citer

M. De Lafontaine, M. Darnon, E. Pargon, A. Jaouad, M. Volatier, et al.. Anisotropic and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 10th International Workshop, Oct 2017, leuven, Belgium. ⟨hal-01929191⟩

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